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申请/专利权人:江苏扬贺扬微电子科技有限公司
摘要:本发明公开了用于减少测试时间的编程及擦除偏置的方法,属于存储器与感测技术领域。本发明改变了逐个执行的编程及擦除方式,而是在执行一个命令时,在芯片上按照算法图执行所设计的内部算法来找到编程及擦除验证水平选项;自动执行编程及擦除操作,从最低的栅极偏置水平开始执行编程及擦除验证,如果失败,则一直执行到最后一个循环计数的编程及擦除操作,逐步提高编程及擦除验证栅极水平,直到编程及擦除验证通过,自动重复进行以找到合适的偏置水平,然后通过内部算法自动进行互补金属氧化物半导体单元阵列编程操作,将前面找到的编程及擦除验证栅极偏置水平存储在互补金属氧化物半导体单元阵列中,从而实现通过一次设置节约时间。
主权项:1.用于减少测试时间的编程及擦除偏置的方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:S1、构建存储器框架,进行初始化设置;S2、输入测试命令进行测试;S3、按照用户指定初始值的偏置水平进行编程及擦除验证并通过感测放大器判定是否通过;S4、进行模块检查和操作,检查是否为最后一个模块,如果是则确认操作模式进行操作,设置操作验证区域的地址和计数器值,自动进行正常操作;S5、检查操作状态值,确认操作结束;S6、失败处理和循环;S7、非易失性数据存储;S8、测试结果输出。
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