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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本申请公开了一种多次可编程器件及其制造方法，多次可编程器件包括：半导体层；位于半导体层中的第一有源区，第一有源区包括在第一轴线方向排列的源区、沟道区和漏区；位于半导体层中的隔离结构；浮栅，包括连接在一起的第一浮栅和第二浮栅，第一浮栅位于所述沟道区上方，并且在第二轴线方向上延伸至隔离结构上方，第二浮栅位于隔离结构内部，与沟道区在所述第二轴线方向排列；栅介质层；控制栅；以及栅间介质层，位于控制栅和第一浮栅之间；控制栅与第一浮栅和第二浮栅相对，控制栅，控制栅和第一浮栅之间的栅间介质层以及第一浮栅构成第一电容，控制栅，控制栅和第二浮栅之间的隔离结构以及第二浮栅构成第二电容。
主权项：1.一种多次可编程器件，包括：半导体层；位于半导体层中的第一有源区，所述第一有源区包括在第一轴线方向排列的源区、沟道区和漏区；位于所述半导体层中的隔离结构，与位于所述半导体层中的第一有源区相邻；浮栅，包括连接在一起的第一浮栅和第二浮栅，所述第一浮栅位于所述沟道区上方，并且在第二轴线方向上延伸至所述隔离结构上方，所述第二浮栅位于所述隔离结构内部，与所述沟道区在所述第二轴线方向排列，所述第一轴线方向和所述第二轴线方向相交；栅介质层，位于所述浮栅和所述沟道区之间；控制栅，位于所述隔离结构上，与所述浮栅在第二轴线方向排列；以及栅间介质层，位于所述控制栅和所述第一浮栅之间；所述控制栅分别与所述第一浮栅和所述第二浮栅相对，所述控制栅和所述第一浮栅之间的栅间介质层以及所述第一浮栅构成第一电容，所述控制栅和所述第二浮栅之间的隔离结构以及所述第二浮栅构成第二电容。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种多次可编程器件及其制造方法
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