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申请/专利权人：宜宾英发德耀科技有限公司
摘要：本申请涉及半导体设备技术领域，提出了一种改善石墨舟印的方法。一种改善石墨舟印的方法，包括如下步骤：S1、将石墨舟干法刻蚀；S2、将刻蚀后的石墨舟用去离子水清洗1‑3次，每次清洗时溢流鼓泡时间为20‑40min。本申请通过结合干法刻蚀和去离子水清洗，一方面可以有效降低化学品消耗；一方面，在干法洗舟后，增加水洗流程，可以清洗掉干法刻蚀产生的poly粉尘，增强石墨舟的清洗程度，进而减少舟上线使用后造成的电场异常，进一步降低EL不良卡点印的产生，提高电池片良率。
主权项：1.一种改善石墨舟印的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将石墨舟干法刻蚀；S2、将刻蚀后的石墨舟用去离子水清洗1-3次，每次清洗时溢流鼓泡时间为20-40min。
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权利要求：
百度查询： 宜宾英发德耀科技有限公司 一种改善石墨舟印的方法
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