龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种堆叠电容结构及其形成方法，属于半导体器件制造技术领域。该堆叠电容结构包括衬底、底电极层、第一绝缘层、中间电极层、第二绝缘层和顶电极层，其中，底电极层设置在所述衬底上；第一绝缘层设置在所述底电极层上；中间电极层设置在所述第一绝缘层上；第二绝缘层设置在所述中间电极层上；顶电极层设置在所述第二绝缘层上。本发明堆叠电容结构可以通过底电极层、中间电极层和顶电极层中任意两个配合加持中间的绝缘层来构成电容结构，从而在增加电容密度的同时，有效保障堆叠电容的工作可靠性。
主权项：1.一种堆叠电容结构，其特征在于，包括：衬底；底电极层，其设置在所述衬底上；第一绝缘层，其设置在所述底电极层上；中间电极层，其设置在所述第一绝缘层上；第二绝缘层，其设置在所述中间电极层上；顶电极层，其设置在所述第二绝缘层上；其中，沿垂直于所述衬底表面的方向，所述第一绝缘层在所述衬底上的投影被所述底电极层在所述衬底上的投影所覆盖，所述中间电极层在所述衬底上的投影位于所述第一绝缘层在所述衬底上的投影内，所述第二绝缘层在所述衬底上的投影被所述中间电极层在所述衬底上的投影所覆盖，所述顶电极层在所述衬底上的投影位于所述第二绝缘层在所述衬底上的投影内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 堆叠电容结构及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号