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申请/专利权人：芯盟科技有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述第一凹槽内形成字线栅极结构；在所述第一面上形成若干位线，所述位线平行于第三方向，且沿第一方向排布，各条所述位线与若干有源区电连接；自所述第二面对所述衬底进行减薄处理，直到暴露出所述第一隔离层表面；所述减薄处理后，在所述各有源区内形成若干第二隔离层，所述第二隔离层自所述第二面向所述第一面延伸，所述第二隔离层位于相邻的所述字线栅极结构之间，且所述第二隔离层在沿所述第一方向上贯穿若干有源区；形成所述第二隔离层后，在所述第二面上形成若干电容，每个所述有源区与若干电容电连接，所形成的半导体结构，单位存储单元占据的面积较小，提高了芯片的集成化水平。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干沿第一方向排布的有源区和第一隔离层，所述第一隔离层位于相邻有源区之间，各有源区在所述第一面或所述第二面的投影图形为平行四边形，且所述平行四边形具有长边，所述长边方向平行于第二方向，所述第二方向与所述第一方向呈锐角夹角；位于所述衬底内的若干第一凹槽，所述第一凹槽自第一面向第二面延伸，所述若干第一凹槽沿第三方向排布，且所述第一凹槽沿第一方向贯穿若干有源区，所述第三方向与所述第一方向相互垂直；位于所述第一凹槽内的字线栅极结构；位于所述第一面上的若干位线，所述位线平行于第三方向，且沿第一方向排布，各条所述位线与若干有源区电连接；位于所述各有源区内的若干第二隔离层，所述第二隔离层自所述第二面向所述第一面延伸，所述第二隔离层位于相邻的所述字线栅极结构之间，且所述第二隔离层在沿所述第一方向上贯穿若干有源区；位于第二面上的若干电容，每个所述有源区与若干电容电连接。
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