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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置可包括：第一半导体结构，其包括栅极结构和层叠物，栅极结构包括沟道结构，并且层叠物包括电容器；以及第二半导体结构，其接合到第一半导体结构，第二半导体结构包括外围电路。电容器可包括沿着形成在层叠物内的沟槽的内表面交替地层叠的导电层和介电层。
主权项：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：第一半导体结构，该第一半导体结构包括栅极结构和层叠物，所述栅极结构包括沟道结构，并且所述层叠物包括电容器；以及第二半导体结构，该第二半导体结构接合到所述第一半导体结构，该第二半导体结构包括外围电路，其中，所述电容器包括沿着形成在所述层叠物内的沟槽的内表面交替地层叠的导电层和介电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置和制造半导体装置的方法
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