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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置可以包括：第一半导体结构，其包括页缓冲器、第一外围电路、位于页缓冲器上的位线、以及位于位线上的层叠物，层叠物包括a阶梯结构、b位于层叠物上的源极结构和c延伸穿过层叠物的沟道结构；以及第二半导体结构，其接合到第一半导体结构并且第二半导体结构包括a被定位为面向源极结构的第二外围电路和b被定位为面向阶梯结构的通过晶体管。
主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括页缓冲器、第一外围电路、位于所述页缓冲器上的位线、以及位于所述位线上的层叠物，所述层叠物包括a阶梯结构、b位于所述层叠物上的源极结构和c延伸穿过所述层叠物的沟道结构；以及第二半导体结构，所述第二半导体结构接合到所述第一半导体结构，并且所述第二半导体结构包括a被定位为面向所述源极结构的第二外围电路和b被定位为面向所述阶梯结构的通过晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置及半导体装置的制造方法
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