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申请/专利权人：南京理工大学
摘要：本发明公开了一种LGA封装低成本爆轰离子高压离子开关，包括：塑封块，用于塑封爆轰离子高压离子开关；PCB设有三个裸露于外侧的焊盘，分别与主电极、触发极的两个焊接区连通；基底，作为爆轰离子高压开关的载体；主电极，置于基底之上；介质层，位于主电极上，不完全隔离主电极；主电极关于介质层的裸露部位与PCB板上的一个焊盘位置对应；触发极，位于介质层上，包括焊接、桥区和桥翼，两个焊接区通过桥翼过渡到位于中心的桥区；两个焊接区分别与PCB板上的另外两个焊盘位置对应；在焊接区接入触发电压作用下，桥区发生电爆炸击穿介质层使得击穿介质层失效，主电极与触发极导通产生导通电流。本发明使高压开关的成本低、体积小。
主权项：1.一种LGA封装低成本爆轰离子高压离子开关，其特征在于，包括：塑封块，用于塑封爆轰离子高压离子开关，但留有爆轰离子高压开关的顶部；PCB板位于爆轰离子高压开关的顶部，其设有三个裸露于外侧的焊盘，分别与主电极、触发极的两个焊接区连通；基底，作为爆轰离子高压开关的载体；主电极，置于基底之上；介质层，位于主电极上，用于不完全隔离主电极；主电极关于介质层的裸露部位与PCB板上的其中一个焊盘位置对应；触发极，位于介质层上，包括焊接、桥区和桥翼，以桥区为中心对称，其中两个焊接区通过桥翼尺寸逐渐减小并过渡到位于中心的桥区；其中两个焊接区分别与PCB板上的另外两个焊盘位置对应；在焊接区接入触发电压作用下，桥区发生电爆炸击穿介质层使得击穿介质层失效，进而主电极与触发极导通，产生导通电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京理工大学 一种LGA封装低成本爆轰离子高压离子开关
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