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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明提供一种基于DSOI的1T‑DRAM单元结构及其制备方法，涉及半导体器件制造技术领域，以解决现有技术中1T‑DRAM存储密度低及功耗高的问题。单元结构包括：硅衬底；设置在硅衬底一侧表面的第一埋氧层；设置在第一埋氧层远离硅衬底一侧表面的隔离层以及第一配置层；设置在第一配置层远离第一埋氧层一侧表面的第二埋氧层；设置在第二埋氧层远离第一配置层一侧表面的包括晶体管层级结构的功能层；以及设置在第一配置层中的背栅；隔离层至少对第一配置层、第二埋氧层、功能层以及背栅进行器件隔离，隔离层的截面形状呈内凹状；基于此，相对现有的1T‑DRAM技术，本发明提供的方案在提升存储器存储密度的同时也降低了存储器的功耗。
主权项：1.一种基于DSOI的1T-DRAM单元结构，其特征在于，包括：硅衬底；设置在所述硅衬底一侧表面的第一埋氧层；设置在所述第一埋氧层远离所述硅衬底一侧表面的隔离层以及第一配置层；设置在所述第一配置层远离所述第一埋氧层一侧表面的第二埋氧层；设置在所述第二埋氧层远离所述第一配置层一侧表面的包括晶体管层级结构的功能层；以及设置在所述第一配置层中的背栅；所述隔离层至少对所述第一配置层、第二埋氧层、功能层以及背栅进行器件隔离，所述隔离层的截面形状呈内凹状。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种基于DSOI的1T-DRAM单元结构及其制备方法
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