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摘要：本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种改进的氢终端金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述改进的氢终端金刚石场效应晶体管中，单晶金刚石衬底上同质外延有单晶金刚石薄膜，单晶金刚石薄膜的表面形成有金刚石导电沟道；金刚石导电沟道的表面设有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的金刚石导电沟道上沉积有介质层，介质层上设有栅电极；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的金刚石导电沟道之外的单晶金刚石薄膜裸露区域形成氧终端隔离区；金刚石导电沟道的表面为氢终端和锗终端的复合终端。本发明技术方案可解决氢终端金刚石场效应晶体管表面电导稳定性差、界面态密度高、载流子迁移率低的问题。
主权项：1.一种改进的氢终端金刚石场效应晶体管，其特征在于，包括：单晶金刚石衬底1、单晶金刚石薄膜2、金刚石导电沟道3、源电极4、漏电极5、氧终端隔离区6、介质层7和栅电极8；其中，所述单晶金刚石衬底1上同质外延有所述单晶金刚石薄膜2，所述单晶金刚石薄膜2的表面形成有所述金刚石导电沟道3；所述金刚石导电沟道3的表面设有所述源电极4和所述漏电极5，所述源电极4、所述漏电极5与所述金刚石导电沟道3形成欧姆接触；所述源电极4、所述漏电极5以及所述源电极4和所述漏电极5之间的金刚石导电沟道上沉积有所述介质层7，所述介质层7上设有所述栅电极8；所述源电极4、所述漏电极5以及所述源电极4和所述漏电极5之间的金刚石导电沟道之外的单晶金刚石薄膜裸露区域形成氧终端隔离区6；其中，所述金刚石导电沟道3的表面为氢终端和锗终端的复合终端。
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百度查询： 西安交通大学 一种改进的氢终端金刚石场效应晶体管及其制备方法
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