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申请/专利权人：四川大学
摘要：本发明涉及一种太赫兹超材料温度传感器，该温度传感器包括：二氧化硅衬底层；两条金属条带，分别生长在二氧化硅衬底层上、下表面；调控介质VO2薄膜，生长在二氧化硅衬底层上、下表面；硅保护层，生长在VO2薄膜表面。该调制器还包括太赫兹信号探测器。当环境温度发生变化时，会诱发VO2薄膜发生相变，使其电导率发生改变，从而使得太赫兹波的透过率发生变化而被太赫兹信号探测器接收，实现对温度的精确检测。与现有技术相比，本发明具有高品质因子、灵敏度高、无线无源以及响应速度快等优点。
主权项：1.一种太赫兹超材料温度传感器，其特征在于，包括二氧化硅衬底层1和分别设置于二氧化硅衬底层1两侧的若干个调控介质层3，所述调控介质层3远离所述二氧化硅衬底层1的一侧设置有硅保护层4，所述二氧化硅衬底层1的两侧分别还设置有金属条带2，所述金属条带2位于相邻调控介质层3之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川大学 一种太赫兹超材料温度传感器
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