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申请/专利权人：宜确半导体(苏州)有限公司
摘要：本发明提供了3D电容上电极结构及其制备方法，以及包含该上电极的3D电容器、具有3D电容器的电子装置。3D电容上电极结构，包括以下结构：具有叉指状的第一导电结构，所述第一导电结构具有第一延伸区域和第二延伸区域；在所述第一延伸区域的所述第一导电结构的表面具有金属化层以及位于金属化层两侧的钝化层；所述金属化层表面具有金属加厚层，所述金属加厚层的宽度大于所述金属化层的宽度，所述金属加厚层的厚度大于所述金属化层的厚度。本发明的3D电容上电极结构，具有良好的接触性能和很低的电阻，能够降低3D电容的耗损，提高3D电容的运行可靠性，具有很高的应用性。
主权项：1.一种3D电容上电极结构，其特征在于，包括以下结构：具有叉指状的第一导电结构，所述第一导电结构具有第一延伸区域和第二延伸区域；在所述第一延伸区域的所述第一导电结构的表面具有金属化层以及位于金属化层两侧的钝化层；所述金属化层表面具有金属加厚层，所述金属加厚层的宽度大于所述金属化层的宽度，所述金属加厚层的厚度大于所述金属化层的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宜确半导体(苏州)有限公司 3D电容上电极及其制备方法、3D电容器及电子装置
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