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申请/专利权人：苏州森丸电子技术有限公司
摘要：本发明公开了一种提高刻蚀均匀性的方法，属于半导体刻蚀技术领域，包括以下步骤：S1、向半导体刻蚀设备工艺腔内通入四氟化碳气体，四氟化碳气体在工艺腔内解离成三氟化碳离子、三氟化碳自由基以及氟自由基；S2、生成的三氟化碳自由基以及氟自由基对刻蚀工艺腔中的待刻蚀薄膜进行刻蚀，生成目标气体和碳氟聚合物，并排出目标气体；S3、停止通入四氟化碳气体，通入氩气体对待刻蚀表面进行轰击，去除碳氟聚合物，并通入氮气对颗粒进行吹扫，抽气排出。本发明提高刻蚀均匀性的方法达到对晶圆表面刻蚀过程中所形成影响刻蚀工艺均匀性的聚合物除去的目的，从而提高刻蚀工艺对晶圆表面刻蚀的均匀性。
主权项：1.一种提高刻蚀均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、向半导体刻蚀设备工艺腔内通入四氟化碳气体，四氟化碳气体在工艺腔内解离成三氟化碳离子、三氟化碳自由基以及氟自由基；S2、生成的三氟化碳自由基以及氟自由基对刻蚀工艺腔中的待刻蚀薄膜进行刻蚀，生成目标气体和碳氟聚合物，并排出目标气体；S3、停止通入四氟化碳气体，通入氩气体对待刻蚀表面进行轰击，去除碳氟聚合物，并通入氮气对颗粒进行吹扫，抽气排出。
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权利要求：
百度查询： 苏州森丸电子技术有限公司 一种提高刻蚀均匀性的方法
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