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申请/专利权人：兰州大学
摘要：本发明涉及电学材料制备技术领域，具体涉及一种富含缺陷簇单层MoS2、制备方法及其应用，利用CVD方法合成富含3FeMo‑VS缺陷簇的单层Fe掺杂MoS2样品，在单层2DTMDs中制备丰富的替位掺杂‑空位形成的缺陷簇，并研究该类缺陷簇对单层2DTMDs物理性质的影响，对未掺杂单层MoS2和含3FeMo‑VS缺陷簇单层MoS2的电学测试表明3FeMo‑VS缺陷簇对单层MoS2提供了空穴掺杂P型掺杂作用，与常见孤立FeMo掺杂对单层MoS2样品造成电子掺杂N型掺杂的情况完全不同，此外，3FeMo‑VS缺陷簇的存在使得单层Fe掺杂MoS2样品与金属电极间形成良好的欧姆接触，消除了金属‑半导体之间的肖特基接触势垒。
主权项：1.一种富含缺陷簇单层MoS2的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将铁盐、含钼化合物与卤素盐的混合物或钼酸铁与卤素盐的混合物作为前驱体放置在容器中；S2，在盛放前驱体的容器正上方放置一片干净的生长衬底；S3，将固体硫源放置在另一个容器中或者使用气体硫源硫化前驱体；S4，将盛放前驱体和硫源的两个容器分别放置在双温区管式炉的高温区和低温区，将惰性气体通入炉管，排尽空气，然后将惰性气体流量调低并升高高温区的温度，待高温区温度升到预定温度时开始加热低温区，待高温区升高到生长温度时，低温区恰能升高至固体硫源熔化的温度，使高温区和低温区进行反应，待反应完成后，使反应体系降至室温，完成缺陷簇单层MoS2的生长；所述步骤S1中卤素盐为氟、氯、溴、碘与锂、钠、钾、铯形成的所有卤素盐中的任意一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 兰州大学 一种富含缺陷簇单层MoS2、制备方法及其应用
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