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申请/专利权人：成都京东方显示科技有限公司
摘要：本发明提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板，该制造方法包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺形成栅极。在衬底基板和栅极上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物层、刻蚀阻挡层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺使金属氧化物层和刻蚀阻挡层形成有源岛，源漏金属层形成源极和漏极，在源极和漏极之间形成沟槽区，且沟槽区延伸到刻蚀阻挡层。在栅极绝缘层、源极和漏极上沉积钝化层，通过第三次光刻工艺形成导电过孔。在钝化层上沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺形成像素电极。在钝化层上涂覆遮光层，遮光层至少覆盖沟槽区，解决了现有的阵列基板制造工艺复杂，制造成本较高的问题。
主权项：1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属层形成栅极；在所述衬底基板和所述栅极上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物层、刻蚀阻挡层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使所述金属氧化物层和所述刻蚀阻挡层形成有源岛并使所述源漏金属层形成源极和漏极，并在所述源极和所述漏极之间形成沟槽区，且所述沟槽区延伸到所述刻蚀阻挡层；其中，金属氧化物层的厚度为刻蚀阻挡层的厚度的2-10倍；在所述栅极绝缘层、所述源极和所述漏极上沉积钝化层，通过第三次光刻工艺，在所述漏极上方的所述钝化层上形成导电过孔；在所述钝化层上沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使所述透明导电层形成像素电极，所述像素电极通过所述导电过孔与所述漏极电连通；在所述钝化层上涂覆遮光层，且所述遮光层至少覆盖所述沟槽区；在所述钝化层上涂覆遮光层时，在栅极线对应的所述像素电极上涂覆遮光层；通过一次灰色调或者半色调掩膜板曝光显影的方法，使所述沟槽区对应的所述遮光层形成子间隔物，所述栅极线对应的所述遮光层形成主间隔物，且所述主间隔物高度高于子间隔物。
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