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申请/专利权人：正泰新能科技股份有限公司
摘要：本发明涉及N型晶硅电池技术领域，公开了一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法，包括以下步骤：（1）在制绒后的硅片正面进行低浓度硼扩散，形成轻掺杂层；（2）在轻掺杂层上沉积非晶硅，形成非晶硅层；（3）对非晶硅层进行激光开槽，以去除金属接触区域的非晶硅；（4）在去除非晶硅后的金属接触区域进行高浓度硼扩散，形成重掺杂层；（5）清洗，以去除非金属区域的非晶硅。本发明的选择性扩散方法采用非晶硅层作为掩膜，能防止形成的掺杂层中硼浓度不可控，有利于提高N型晶硅电池的开路电压、短路电流和填充因子。
主权项：1.一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在制绒后的硅片正面进行低浓度硼扩散，形成轻掺杂层；所述低浓度硼扩散的扩散方阻为140~200ohmsq，表面浓度为1.0e19~1.5e19atomscm3，结深为0.3~0.6μm；（2）在轻掺杂层上沉积非晶硅，形成非晶硅层；（3）对非晶硅层进行激光开槽，以去除金属接触区域的非晶硅；（4）在去除非晶硅后的金属接触区域进行高浓度硼扩散，形成重掺杂层；所述高浓度硼扩散的扩散方阻为60~100ohmsq，表面浓度为2.0e19~3.0e19atomscm3，结深为0.6~1.0μm；（5）清洗，以去除非金属区域的非晶硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 正泰新能科技股份有限公司 一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法及其应用
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