龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：华硼中子科技(杭州)有限公司
摘要：本发明涉及中子源靶领域，公开了一种电沉积‑磁控溅射制备加速器中子源锂靶过渡层的方法，包括：1）将铜基体作为阴极，铜片作为阳极，置于含铜离子的电解液中，进行电化学沉积，于铜基体表面形成具有粗糙表面的铜沉积层；2）通过磁控溅射于铜沉积层表面构建过渡层。本发明首先通过电化学沉积法对铜基体进行表面处理，调整沉积参数可实现单质铜在基体表面粗糙度的调控，该方法可适用于各种形状的铜基体；在此基础之上本发明再通过磁控溅射技术，在粗糙基体表面实现过渡层的沉积，所得过渡层与基体之间内应力小，结合力高。
主权项：1.一种电沉积-磁控溅射制备加速器中子源锂靶过渡层的方法，其特征在于：包括：1）将铜基体作为阴极，铜片作为阳极，置于含铜离子的电解液中，进行电化学沉积，于铜基体表面形成具有粗糙表面的铜沉积层；所述电解液包括0.05-0.1molLCuSO4·5H2O，0.05-0.1molLNaCl、0.01-0.1molLH3BO3、0.01-0.1molLC12H25SO4Na和水；2）通过磁控溅射于铜沉积层表面构建过渡层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华硼中子科技(杭州)有限公司 电沉积-磁控溅射制备加速器中子源锂靶过渡层的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号