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申请/专利权人：三一重能股份有限公司
摘要：本申请公开了一种单晶硅生长过程控制方法、装置、设备及存储介质，涉及单晶硅技术领域，该方法应用于单晶硅生长过程控制系统，系统包括PID控制器、预设神经网络和预设群体优化算法，在单晶硅的生长过程闭环控制中，将系统输入、系统输出以及系统偏差作为预设神经网络的神经元输入，系统输入为参考晶体直径，预设神经网络用于优化自身的神经元输出，预设群体优化算法用于对预设神经网络进行优化；将预设神经网络的神经元输出作为PID输入参数；并通过PID控制器控制单晶硅的生长直径。由于本申请结合预设神经网络和预设群体优化算法，自适应调整PID控制器的参数，使之适应单晶硅生长过程的变化，最终实现了拉晶质量的提升。
主权项：1.一种单晶硅生长过程控制方法，其特征在于，所述方法应用于单晶硅生长过程控制系统，所述系统包括PID控制器、预设神经网络和预设群体优化算法，所述的方法包括：在单晶硅的生长过程闭环控制中，将所述单晶硅生长过程控制系统的系统输入、系统输出以及系统偏差作为所述预设神经网络的神经元输入，所述系统输入为所述单晶硅的参考晶体直径，所述预设神经网络用于优化自身的神经元输出，所述预设群体优化算法用于对所述预设神经网络进行优化；将所述预设神经网络的神经元输出作为所述PID控制器的PID输入参数；根据所述PID输入参数通过所述PID控制器控制所述单晶硅的生长直径，所述生长直径作为所述系统输出，所述生长直径与所述参考晶体直径之间的差值作为所述系统偏差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三一重能股份有限公司 单晶硅生长过程控制方法、装置、设备及存储介质
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