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申请/专利权人：无锡尚积半导体科技有限公司
摘要：本发明磁控溅射设备中的等离子体发生装置，包括腔体，腔体内从下至上依次设置有载台、靶材、电磁铁；电磁铁置于固定板上，固定板上开设有多圈通孔，每圈通孔包括均匀设置的多个通孔，通孔内设置有电磁铁；一个和或多个电磁铁输入相同的电流，本发明中等离子体发生装置，可以采用平面靶材或特殊靶材进行溅射，通过对靶材背面的多个电磁铁选择性地进行通电，采用合适的磁控溅射工艺，可以实现膜厚均匀性提升；在靶材寿命周期内，定期地移动电磁铁，径向调整位置，可以将靶材溅射时背面的磁场强度作相应改变，即原本高溅射率区域的磁场强度降低、低溅射率区域的磁场强度升高，使得靶材各处的溅射程度得以平衡，靶材利用率大幅提升。
主权项：1.磁控溅射设备中的等离子体发生装置，其特征在于，包括腔体，腔体内从下至上依次设置有载台、靶材、电磁铁；电磁铁置于固定板上，固定板上开设有多圈安装电磁铁的孔位，每圈孔位包括均匀设置的一个或多个孔位，孔位内设置有电磁铁；一个和或多个电磁铁输入相同的电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡尚积半导体科技有限公司 磁控溅射设备中的等离子体发生装置
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