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申请/专利权人:浙江广芯微电子有限公司
摘要:本发明公开了一种高压碳化硅MOS的老化性能动态评估方法及系统,涉及半导体性能评估技术领域,该方法包括:对高压碳化硅MOS进行动态性能测试,获得多个性能参数集;获得泄漏电流匹配性信息集、击穿电压匹配性信息集和开关损耗匹配性信息集,构建泄漏电流特殊度集、击穿电压特殊度集和开关特殊度集;获得多个参数效用信息,并配置多个老化分析算力;获得多个老化性能评估结果和老化性能变化系数,作为老化性能动态评估结果。解决了现有碳化硅MOS老化性能评估存在的无法有效融合多种性能参数的动态变化,导致难以全面准确评估器件的实际老化状态、预测器件老化风险的技术问题,达到了提高老化性能评估的全面性、准确性的技术效果。
主权项:1.一种高压碳化硅MOS的老化性能动态评估方法,其特征在于,所述方法包括:对高压碳化硅MOS在多个工作阶段进行动态性能测试,获得多个性能参数集,划分获得导通电阻集、栅极泄漏电流集、击穿电压集和开关损耗集,其中,每个性能参数集内包括导通电阻、栅极泄漏电流、击穿电压和开关损耗;根据所述导通电阻集,进行所述栅极泄漏电流集、击穿电压集和开关损耗集内数据的测试匹配性分析,获得泄漏电流匹配性信息集、击穿电压匹配性信息集和开关损耗匹配性信息集,并进行匹配特殊度分析,构建泄漏电流特殊度集、击穿电压特殊度集和开关特殊度集;根据所述泄漏电流特殊度集、击穿电压特殊度集和开关特殊度集,对所述多个性能参数集进行参数效用融合,获得多个参数效用信息,并配置多个老化分析算力;根据所述多个老化分析算力,对所述多个性能参数集进行老化性能分析,获得多个老化性能评估结果和老化性能变化系数,作为老化性能动态评估结果。
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