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申请/专利权人：中北大学
摘要：本发明属于射频微波领域，具体涉及一种V波段的SIW缝隙阵喇叭状射频天线。包括：介质基板：所述介质基板为一体设置的矩形板；微带线的一端靠近介质基板的一条短边设置，所述微带线与介质基板的长边平行；微带线远离短边的一端连接有过渡结构；所述微带线靠近介质基板的一端与天线端口连通；半开放式喇叭状SIW通孔：包括SIW上层金属壁、SIW下层金属壁、喇叭形金属通孔阵列、SIW上层金属壁和SIW下层金属壁分别印刷在介质基板的上表面和下表面；缝隙阵设置在平行金属通孔阵内侧；还包括金属层切角结构；辐射体结构：所述辐射体结构设置在天线口径面一端，用于将来自半开放式喇叭状SIW通孔的信号辐射出去。提升了天线的带宽和增益性能。
主权项：1.一种V波段的SIW缝隙阵喇叭状射频天线，其特征在于，包括：介质基板：所述介质基板为一体设置的矩形板；微带线：所述介质基板具有平行于自身长边的对称轴X，所述微带线的一端靠近介质基板的一条短边设置，所述微带线与介质基板的长边平行；微带线沿对称轴X对称；微带线远离短边的一端连接有过渡结构；所述微带线靠近介质基板的一端与天线端口连通；半开放式喇叭状SIW通孔：包括SIW上层金属壁、SIW下层金属壁、喇叭形金属通孔阵列、SIW上层金属壁和SIW下层金属壁分别印刷在介质基板的上表面和下表面；所述喇叭形金属通孔阵列设置在介质基板中且关于对称轴X对称，包括相连接的平行金属通孔阵列和八字形通孔阵列，其中平行金属通孔阵列远离八字形通孔阵列的一侧与过渡结构远离微带线的一端连接；SIW上层金属壁、SIW下层金属壁和喇叭形金属通孔阵列共同构成半开放式喇叭形SIW腔；缝隙阵：沿对称轴X对称设置，所述缝隙阵设置在平行金属通孔阵内侧；所述SIW上层金属壁和SIW下层金属壁靠近过渡结构的一侧设有金属层切角结构；辐射体结构：所述辐射体结构设置在天线口径面一端，用于将来自半开放式喇叭状SIW通孔的信号辐射出去。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中北大学 一种V波段的SIW缝隙阵喇叭状射频天线
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