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申请/专利权人：东南大学
摘要：本发明公开了一种MEMS压力传感器及片上零漂和温漂补偿方法，采用在惠斯通电桥中集成补偿电阻的方案实现桥内硬件补偿。其中补偿电阻分为起到调零作用的串联电阻和起到补偿作用的并联电阻。通过测定补偿前传感器在供电情况下输出电压，进而计算出补偿电阻接入电桥的形式和阻值的大小；通过半导体工艺或激光修调，改变补偿电阻接入电桥的形式以及阻值的大小，从而实现因工艺误差和外部环境引发的零点漂移和温度漂移偏差的硬件补偿，有助于提高批量生产时芯片的一致性。此外，本发明的具有片上零漂和温漂补偿的MEMS压力传感器的制备工艺简单，可显著简化后端调理电路的复杂性，提高传感器的集成度。
主权项：1.一种MEMS压力传感器片上补偿零漂和温漂的方法，其特征在于，包括：首先，在MEMS制备工艺过程中，在构成MEMS压力传感器的惠斯通电桥的各压敏电阻外侧分别制备低温度系数的补偿电阻，该补偿电阻通过金属引线与对应的一个压敏电阻连接；然后，对同一批晶圆器件中的标志器件，通过光刻或激光修调截断各补偿电阻电路，测定未进行补偿的器件在不同温度下输出电压的大小，获得补偿电阻接入惠斯通电桥的串并联形式和阻值大小的补偿方案；最后，依据所得的补偿方案，对同一批晶圆器件的补偿电阻电路分别进行光刻或激光修调，实现对工艺随机误差导致的零点漂移偏差的硬件补偿以及热应力误差导致的温漂的补偿。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学 一种MEMS压力传感器及片上零漂和温漂补偿方法
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