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申请/专利权人：北京炎黄国芯科技有限公司
摘要：本发明涉及一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路，旨在提供一种能够减少由于温度变化引起的输出电压漂移的电路设计。该带隙基准电路包括：启动电路、偏置电路、温度补偿电路、二次启动电路以及带隙基准源。启动电路包含特定的MOS管和三极管配置，用于在电路上电时为其提供必要的启动条件。偏置电路采用自偏置共源共栅结构，与带隙核心电路耦合，以提供恒定的电流或电压。温度补偿电路连接至带隙核心电路的输出端，根据温度变化调整输出电压。二次启动电路在启动阶段为带隙核心电路提供稳定电流，而带隙基准源则生成一个稳定且精确的参考电压。并通过上述组件的协同作用，实现了对温度变化的高适应性和输出电压稳定性的提升。
主权项：1.一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路，其特征在于，包括：启动电路，用于在电路上电时为其提供必要的启动条件；带隙核心电路，与启动电路连接，用于在电路上电时为其提供必要的启动条件；偏置电路，与带隙核心电路耦合，用于为带隙核心电路提供恒定的电流或电压；温度补偿电路，连接到带隙核心电路的输出端，用于根据温度变化调整带隙核心电路的输出电压，以减少由于温度变化引起的输出电压漂移；其中，所述的启动电路包括：MOS管M1、MOS管M3、电解电容C1、三极管Q1、三极管Q2以及三极管Q3，所述的MOS管M1源极连接VCC输入端，MOS管M1漏极接地，所述的电解电容C1正极连接MOS管M3栅极，所述的MOS管M3漏极接地，MOS管M3源极连接三极管Q1集电极，所述的三极管Q1发射极连接三极管Q3集电极，三极管Q1基极连接三极管Q2基极，所述的三极管Q2集电极以及发射极均连接至偏置电路，三极管Q2集电极接地，所述的三极管Q3发射极接地并且三极管Q3集电极还与自身的基极相连接。
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权利要求：
百度查询： 北京炎黄国芯科技有限公司 一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路
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