龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明属于电子器件技术领域，具体为一种SCR静电保护器件，用以解决现有采用分割器件发射极提高SCR器件维持电压方法中存在的器件失效电流减小的问题。本发明的N型阱采用多个第一N型重掺杂有源区和多个第一P型重掺杂有源区围绕第二N型重掺杂有源区交替排布成环，P型阱中采用的多个第三N型重掺杂有源区和多个第三P型重掺杂有源区围绕第二P型重掺杂有源区交替排布形成环的结构，此外，在N型阱与P型阱的邻接处还是设置横跨重掺杂有源区和多晶硅。本发明采用上述设置后，器件在提高维持电压的同时，获得了更多的电流路径，降低了SCR静电保护器件的开启电压。
主权项：1.一种SCR静电保护器件，包括衬底、形成于衬底内的N型阱和P型阱，N型阱和P型阱邻接，其特征在于：所述N型阱中设有多个第一N型重掺杂有源区、多个第一P型重掺杂有源区、以及第二N型重掺杂有源区；多个第一N型重掺杂有源区和多个第一P型重掺杂有源区围绕第二N型重掺杂有源区交替排布成环；第二N型重掺杂有源区接出N型阱电位，并通过第一隔离结构与第一N型重掺杂有源区和第一P型重掺杂有源区之间进行隔离；多个第一N型重掺杂有源区、多个第一P型重掺杂有源区、以及第二N型重掺杂有源区均连接至阳极；所述P型阱内设有多个第三N型重掺杂有源区、多个第三P型重掺杂有源区、以及第二P型重掺杂有源区，多个第三N型重掺杂有源区和多个第三P型重掺杂有源区围绕第二P型重掺杂有源区交替排布形成环；第二P型重掺杂有源区接出P型阱电位，并通过第二隔离结构与第三N型重掺杂有源区和第三P型重掺杂有源区之间进行隔离；多个第三N型重掺杂有源区、多个第三P型重掺杂有源区、以及第二P型重掺杂有源区均连接至阴极；所述N型阱与P型阱的邻接处采用第三隔离结构将N型阱中的多个第一N型重掺杂有源区和多个第一P型重掺杂有源区，与P型阱中的多个第三N型重掺杂有源区、多个第三P型重掺杂有源区隔离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种SCR静电保护器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号