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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本申请公开了一种基体表面平坦化系统、方法及基体，该系统包括：载台、厚度测量组件以及表面处理组件；载台用于承载待平坦化基体，待平坦化基体具有第一晶体结构，待平坦化基体包括相背设置的第一表面和第二表面，且第二表面位于载台和第一表面之间；厚度测量组件用于获得待平坦化基体的至少部分第一表面相对第二表面的厚度差异情况；表面处理组件用于基于厚度差异情况从第一表面一侧改变至少部分待平坦化基体的晶体结构，以使得厚度差异较大位置处的第一晶体结构含量越低；减薄组件，用于至少从第一表面一侧进行减薄，第一晶体结构的浓度越低，减薄速率越大。通过上述方式，可以在刻蚀以及研磨过程中改善待平坦化基体表面不均匀性的问题。
主权项：1.一种基体表面平坦化系统，其特征在于，包括：载台，用于承载待平坦化基体；其中，所述待平坦化基体具有第一晶体结构，所述待平坦化基体包括相背设置的第一表面和第二表面，且所述第二表面位于所述载台和所述第一表面之间；厚度测量组件，用于获得所述待平坦化基体的至少部分第一表面相对第二表面的厚度差异情况；表面处理组件，用于基于所述厚度差异情况从所述第一表面一侧改变至少部分所述待平坦化基体的晶体结构，以使得厚度差异与所述第一晶体结构含量呈负相关；减薄组件，用于至少从所述第一表面一侧进行减薄，其中，所述第一晶体结构的浓度与减薄速率呈负相关；所述表面处理组件包括：等离子处理结构，用于从所述第一表面一侧对所述待平坦化基体进行等离子处理以破坏所述第一晶体结构对应的第一分子结构；其中，所述厚度差异与所述待平坦化基体进行等离子处理的强度和或时间呈正相关；修复结构，用于从所述第一表面一侧对所述待平坦化基体进行修复，且修复形成的第二晶体结构与所述第一晶体结构不同，所述第二晶体结构浓度与减薄速率呈正相关。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 一种基体表面平坦化系统、方法及基体
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