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申请/专利权人：博瑞集信(西安)电子科技股份有限公司

摘要：本申请提供一种单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，所述芯片电路包括衰减模块、电源保护模块以及电平转换模块；供电电压输入所述电源保护模块的输入端，所述电源保护模块的输出端分别与所述衰减模块的输入端以及所述电平转换模块的供电输入端相连接；控制电压输入所述电平转换模块的控制输入端，所述电平转换模块的控制输出端连接所述衰减模块的控制输入端；射频信号输入所述衰减模块，经过衰减控制后输出。与传统衰减器设计相比，本申请的衰减器通过更改传统衰减单元结构，实现了正压控制衰减器，同时单片集成驱动器，减少了控制端口，实现单电压控制衰减器，使芯片可以兼容TTLCMOS信号，提高了单片集成度。

主权项：1.一种单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，包括芯片本体以及集成于芯片本体的芯片电路，其特征在于，所述芯片电路包括衰减模块、电源保护模块以及电平转换模块；其中，供电电压输入所述电源保护模块的输入端，所述电源保护模块的输出端分别与所述衰减模块的输入端以及所述电平转换模块的供电输入端相连接；控制电压输入所述电平转换模块的控制输入端，所述电平转换模块的控制输出端连接所述衰减模块的控制输入端；射频信号输入所述衰减模块，经过衰减控制后输出；所述衰减模块包括依次串联的多个衰减单元，所述电平转换模块相应设置有与所述衰减单元同等数量的依次并联的电平转换模块；所述电平转换模块包括反相器电路，所述反相器电路包括并联设置的正向控制反相器电路与反向控制反相器电路，输入控制电压经过正向控制反相器电路以及反向控制反相器电路产生两个互补输出正反相控制电压；所述正向控制反相器电路包括串联的第一反相器电路与第二反相器电路，晶体管Q4、电阻R7和晶体管Q5组成第一反相器电路，晶体管Q7、电阻R10和晶体管Q8组成第二反相器电路；所述反向控制反相器电路包括晶体管Q9、电阻R11和晶体管Q10组成第三反相器电路；其中，所述电阻R7的一端连接晶体管Q4的源极，电阻R7的另一端分别与晶体管Q4的栅极以及晶体管Q5的漏极连接，电阻R10的一端连接晶体管Q7的源极，电阻R10的另一端分别与晶体管Q7的栅极以及晶体管Q8的漏极连接，晶体管Q5的漏极与二极管D16的阳极连接，二极管D16的阴极与电阻R8的一端连接，电阻R8另一端连接晶体管Q8的栅极；电阻R11的一端连接晶体管Q9的源极，电阻R11的另一端分别与晶体管Q9的栅极以及晶体管Q10的漏极连接，晶体管Q5的栅极与晶体管Q10之间通过电阻R12连接。

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百度查询： 博瑞集信(西安)电子科技股份有限公司 单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片