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申请/专利权人：广能亿能(北京)核能科技有限公司
摘要：本方案涉及离子注入工艺技术领域，具体涉及一种离子注入改善永磁体损耗性能的方法及永磁体，以改善其损耗特性。通过离子注入Bi、N离子，使得永磁体表面导电性能降低，涡流现象得到明显减弱，此外由于bi、N化合物在晶界的析出，钉扎作用有利于维持较高的磁性能，并且，由于本发明未使用价格较为昂贵的稀土材料，使得其应用前景更加广阔。
主权项：1.一种离子注入改善永磁体损耗性能的方法，其特征在于：包括如下步骤：使用砂纸对永磁体试样表面进行打磨后，抛光直至表面粗糙度低于0.2μm，此后，将永磁体抛光面朝上置于盛有酒精的烧杯中超声清洗，取出试样并烘干后，将试样固定于靶盘上并放入对配有离子注入系统的真空腔中，离子注入系统包括Bi离子注入源和N离子注入源；调节真空度，Bi离子注入在室温条件下进行，注入的剂量为5×1014-5×1015cm2，能量为100-200keV；N离子注入在室温下进行，注入的剂量为1×1014-1×1015cm2，能量为50-100keV；离子注入后进行退火处理，退火温度为450℃-490℃，时间为4-6小时；永磁体试样为Sm2Co17稀土永磁材料；永磁体试样采用粉末冶金工艺制备得到。
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权利要求：
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