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申请/专利权人：北京爱思达航天科技有限公司
摘要：本发明提供一种低含氧聚二甲基硅烷及其制备方法，制备方法包括以下步骤：在惰性气体的保护下，将二甲基二氯硅烷、碱金属加入苯类溶剂中，于高温下进行反应，得到产物；将醇类加入产物中，中和未反应的原料，然后过滤，得到粗聚二甲基硅烷；对粗聚二甲基硅烷进行高温蒸发，去除含氧硅烷；将高温蒸发后的产物采用清洗溶剂进行清洗，并固液分离；对固液分离的固相产物进行高温蒸发，再次去除含氧硅烷，得到低含氧聚二甲基硅烷。该方法可以有效的降低聚二甲基硅烷的含氧硅烷和碱金属离子含量，氧含量低于0.6%，碱金属含量低于30ppm，可以制备低含氧的聚碳硅烷。
主权项：1.一种低含氧聚二甲基硅烷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在惰性气体的保护下，将二甲基二氯硅烷、碱金属加入苯类溶剂中，于高温下进行反应，反应温度为70～120℃，二甲基二氯硅烷与碱金属的摩尔比为1:1.9～2.1，得到产物；S2.将醇类加入所述产物中，中和未反应的原料，然后过滤，得到粗聚二甲基硅烷；S3.对所述粗聚二甲基硅烷进行高温蒸发，去除含氧硅烷，高温蒸发时的温度为180～250℃，高温蒸发时的压力为真空；S4.将高温蒸发后的产物采用清洗溶剂进行清洗，并固液分离，还包括对固液分离的固相产物采用清洗溶剂进行清洗，并固液分离，且重复多次上述的清洗、分离步骤，多次清洗中，至少一次清洗时所述清洗溶剂为纯水，第一次采用纯水进行清洗时，纯水与二甲基二氯硅烷的质量比为1:0.2～0.5；S5.对固液分离的固相产物进行高温蒸发，再次去除含氧硅烷，高温蒸发时的温度为180～250℃，高温蒸发时的压力为真空，得到低含氧聚二甲基硅烷。
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权利要求：
百度查询： 北京爱思达航天科技有限公司 一种低含氧聚二甲基硅烷及其制备方法
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