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申请/专利权人：上海拜安传感技术有限公司;上海拜安半导体有限公司

摘要：本公开涉及一种差分式MEMS光纤差压传感器芯片及其制造方法。该差分式MEMS光纤差压传感器芯片包括：第一压力敏感结构，第二压力敏感结构，中间敏感层结构，第一光纤准直器对，第二光纤准直器对；中间敏感层结构被设置在第一压力敏感结构的底表面与第二压力敏感结构的底表面之间；中间敏感层结构被设置成分隔第一光纤准直器对与第二光纤准直器对，并且被构造成支撑第一压力敏感结构与第二压力敏感结构并且减小中间敏感层结构的刚度。此外，本公开还提供了一种差分式MEMS光纤差压传感器芯片的制造方法。本公开所提供的差分式MEMS光纤差压传感器芯片其结构巧妙、可批量化生产，具有探头无源、抗电磁干扰、可远距离传输以及可在恶劣环境下工作等优点。

主权项：1.一种差分式MEMS光纤差压传感器芯片，其特征在于，包括：第一压力敏感结构，第二压力敏感结构，中间敏感层结构，第一光纤准直器对，第二光纤准直器对；所述第一压力敏感结构被构造成底表面与侧表面围绕的膜-岛结构，底部被设置有第一准直槽，所述第一准直槽与所述中间敏感层结构配合形成第一准直通孔；所述第二压力敏感结构被构造成底表面与侧表面围绕的膜-岛结构，并且所述第二压力敏感结构被构造成与所述第一压力敏感结构相对于所述中间敏感层结构的中间平面成镜像对称，所述第二压力敏感结构的底部被设置有第二准直槽，所述第二准直槽与所述中间敏感层结构配合形成第二准直通孔；所述第一光纤准直器对，被固定在所述第一准直通孔内，所述第一光纤准直器对中的两个光纤准直器之间被对准布置；所述第二光纤准直器对被固定在所述第二准直通孔内，所述第二光纤准直器对中的两个光纤准直器之间被对准布置；所述中间敏感层结构，被设置在所述第一压力敏感结构的底表面与所述第二压力敏感结构的底表面之间；所述中间敏感层结构被设置成分隔所述第一光纤准直器对与所述第二光纤准直器对，并且所述中间敏感层结构被构造成支撑所述第一压力敏感结构与所述第二压力敏感结构并且减小所述中间敏感层结构的刚度。

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