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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明属于光电催化水分解技术领域，具体地涉及一种高性能光电催化硅光阳极的制备方法，是通过依次采用反应电子束蒸发沉积系统、普通电子束蒸发沉积系统、光辅助电化学沉积法来制备n‑Si光阳极表面的CuO中间层薄膜、NiO薄膜、NiCoFe‑Bi助催化剂层。在制备过程中，通过控制反应电子束蒸发沉积系统中通入O2气流量的大小，控制中间层薄膜中CuO相的形成，以实现对NiOn‑Si异质结光阳极界面的有效调控，促使n‑Si光阳极上更大光电压的产生，进而显著提升n‑Si光阳极的光电催化水分解性能。
主权项：1.一种高性能光电催化硅光阳极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、n-Si晶片依次使用丙酮、异丙醇超声清洗，然后吹干；步骤2、以Cu2O作为Cu源，使用反应电子束蒸发设备在n-Si晶片上制备一层CuO中间层；步骤3、再以NiO作为Ni源，使用电子束蒸发设备在步骤2所得结构上沉积NiO薄膜；步骤4、使用TEM、XPS、UPS等表征方法对步骤3所得结构进行形貌、物相以及能带结构的分析，若分析结果达到预设标准则进入步骤5；步骤5、使用5％-20％的HF溶液对步骤3所得样品的背面进行刻蚀后，使用去离子水冲洗干净，并将铟-镓In-Ga液态合金涂覆在被刻蚀表面，并使用银浆将步骤3所得的n-Si样品背面铟-镓合金与导线相连后，使用环氧树脂对其进行封装；步骤6、采用三电极系统对步骤5所得结构进行NiCoFe-Bi析氧助催化剂的光辅助电化学沉积，待沉积完成后，使用去离子水彻底冲洗；步骤7、使用三电极系统对步骤6所得结构进行PEC水分解测试及评价。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种高性能光电催化硅光阳极的制备方法
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