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申请/专利权人：鄂尔多斯市隆基硅材料有限公司
摘要：本发明实施例提供一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法，该方法包括：将硅料和第一重量的掺杂剂加入坩埚中，生长第一单晶硅；在第一单晶硅生长的收尾阶段完成后，按照预设转速调节坩埚的转速，以及按照预设功率调节加热器的功率，其中，预设转速与引晶阶段坩埚的转速之差的绝对值小于等于第一阈值，预设功率与引晶阶段加热器的功率之差的绝对值小于等于第二阈值；将第二重量的掺杂剂加入坩埚中，生长第二单晶硅；其中，在第一单晶硅和第二单晶硅的生长过程中，向坩埚中动态加入硅料，以使任一时刻坩埚内的硅料重量为预设重量。本发明实施例的方法可以有效控制掺杂剂的量，提高掺杂剂的利用效率，可以解决单晶硅的头尾部电阻率分布不均匀的问题。
主权项：1.一种单晶硅掺杂方法，其特征在于，所述方法包括：将硅料和第一重量的掺杂剂加入坩埚中，生长第一单晶硅；在所述第一单晶硅生长的收尾阶段完成后，按照预设转速调节所述坩埚的转速，以及按照预设功率调节加热器的功率，其中，所述预设转速与引晶阶段所述坩埚的转速之差的绝对值小于等于第一阈值，所述预设功率与引晶阶段所述加热器的功率之差的绝对值小于等于第二阈值；将第二重量的所述掺杂剂加入所述坩埚中，生长第二单晶硅；其中，在所述第一单晶硅和所述第二单晶硅的生长过程中，向所述坩埚中动态加入所述硅料，以使任一时刻所述坩埚内的硅料重量为预设重量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 鄂尔多斯市隆基硅材料有限公司 一种单晶硅掺杂方法及单晶硅制造方法
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