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申请/专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司

摘要：本发明属于单晶硅生产领域，具体涉及一种降低硅液氧含量和加热功率的单晶炉及生长方法，单晶炉包括炉体，还包括：坩埚，其设置于炉体内，其坩埚壁沿炉体壁的周向设置，其内的腔体用于容纳硅料；保温筒，其设置于炉体内且位于坩埚的外侧，其沿坩埚壁的周向设置；加热部，其设置于保温筒内，用于加热坩埚内的硅料；升降保温组件，其设置于炉体内且位于坩埚的外侧，其包括保温块和升降驱动件，保温块为筒状结构且沿坩埚壁的周向设置，升降驱动件与保温块相连接，升降驱动件驱动保温块上下移动。在增加冷区过冷度的同时，避免影响气流流通，相应部件的使用寿命长，降低单晶硅中氧含量。

主权项：1.一种降低硅液氧含量和加热功率的单晶生长方法，其特征在于，其在单晶炉中进行，所述单晶炉包括炉体（1），还包括：坩埚（2），其设置于所述炉体（1）内，其坩埚壁沿炉体壁的周向设置，其内的腔体用于容纳硅料；保温筒（3），其设置于所述炉体（1）内且位于所述坩埚（2）的外侧，其沿所述坩埚壁的周向设置；加热部（4），其设置于所述保温筒（3）内，用于加热所述坩埚（2）内的硅料；升降保温组件（5），其设置于所述炉体（1）内且位于所述保温筒（3）的外侧，其包括保温块（501）和升降驱动件（502），所述保温块（501）为筒状结构且沿所述坩埚壁的周向设置，所述升降驱动件（502）与所述保温块（501）相连接，所述升降驱动件（502）驱动所述保温块（501）上下移动；且所述单晶生长方法包括：将硅料装入所述坩埚（2）内，在等径生长阶段开始时，使所述保温块（501）位于硅液的上方，在所述等径生长阶段，使所述坩埚（2）逐渐向上移动，所述升降驱动件（502）驱动所述保温块（501）逐渐向下移动；所述等径生长阶段的生长条件包括：单晶生长长度为L单晶，L单晶的单位为mm，所述保温块（501）的位置与所述等径生长阶段开始时所述保温块（501）的位置的竖直距离为D保温块，D保温块=k1×L单晶，所述单晶生长长度为300mm以下时，所述k1为0.062~0.07，所述单晶生长长度大于300mm时，所述k1为0.05~0.06；所述保温块（501）的下端低于所述坩埚（2）中硅液液面时，所述加热部（4）的加热功率比不设置所述升降保温组件（5）时的加热功率低2kw-3kw；所述单晶生长长度小于300mm时，坩埚转速为4rpm~5rpm，所述单晶生长长度为300mm以上时，所述坩埚转速保持恒定，所述坩埚转速为5.5rpm~6.5rpm。

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