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一种Ni-C/SiOx@g-C3N4材料及其制备方法、应用 

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申请/专利权人:合肥国轩新材料科技有限公司

摘要:本发明公开了一种Ni‑CSiOx@g‑C3N4材料,所述Ni‑CSiOx@g‑C3N4材料包括:核芯和包覆在核芯表面的壳层;核芯为SiOx颗粒,并且在SiOx颗粒的表面均匀负载纳米Ni和纳米C;壳层为g‑C3N4。本发明还公开了上述Ni‑CSiOx@g‑C3N4材料的制备方法,包括如下步骤:将镍源、SiOx、配合物、溶剂A混匀,然后加热蒸干溶剂A,干燥,再进行还原反应,得到Ni‑CSiOx材料;将Ni‑CSiOx材料、g‑C3N4和溶剂B混匀,进行回流反应,去除溶剂B,干燥,得到Ni‑CSiOx@g‑C3N4材料。本发明还公开了其在锂离子电池中的应用。本发明具有良好的电化学性能。

主权项:1.一种Ni-CSiOx@g-C3N4材料,其特征在于,所述Ni-CSiOx@g-C3N4材料包括:核芯和包覆在核芯表面的壳层;核芯为SiOx颗粒,并且在SiOx颗粒的表面均匀负载纳米Ni和纳米C;壳层为g-C3N4。

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