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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：一些实施例包含一种具有带有表面的半导体材料的集成组合件。第一层在所述表面上方且直接抵靠所述表面。所述第一层包含氧及第一金属。氧与所述第一金属的相对量小于或等于足以遍及所述第一层形成化学计量的金属氧化物的量。第二金属在所述第一层上方且直接抵靠所述第一层。第二层在所述第二金属上方且直接抵靠所述第二金属。所述第二层包含氮及第三金属。一些实施例包含一种具有带有表面的半导体材料的集成组合件。金属与所述表面相邻且与所述表面隔开达小于或等于约的距离。在所述金属与所述表面之间不存在金属锗化物或金属硅化物。
主权项：1.一种集成组合件，其包括：半导体材料，其具有表面，所述半导体材料包括硅及锗中的一或两者；第一金属，其与所述表面相邻且与所述表面隔开达小于或等于的距离；在所述第一金属与所述表面之间不存在金属硅化物或金属锗化物；含金属组合物，其与所述第一金属相邻且直接抵靠所述第一金属；所述含金属组合物包含与非金属组合的第二金属；及界面区，其在所述第一金属与所述表面之间；所述界面区包含Se及Te中的一或两者。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 具有与半导体区耦合的含金属区的集成组合件
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