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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：一种成像元件，包括：第一电极21；电荷累积用电极24，所述电荷累积用电极与所述第一电极21隔开配置；分离电极，所述分离电极与所述第一电极21和所述电荷累积用电极24隔开配置，以围绕所述电荷累积用电极24；光电转换层，所述光电转换层与所述第一电极21接触并且形成在所述电荷累积用电极的上方，绝缘层夹设在所述光电转换层和所述电荷累积用电极之间；和第二电极，所述第二电极形成在所述光电转换层上。所述分离电极包括第一分离电极31A和与所述第一分离电极31A隔开配置的第二分离电极31B。所述第一分离电极31A位于所述第一电极21和所述第二分离电极31B之间。
主权项：1.一种成像元件，包括：第一电极；电荷累积用电极，所述电荷累积用电极与所述第一电极隔开配置；分离电极，所述分离电极与所述第一电极和所述电荷累积用电极隔开配置，并且围绕所述电荷累积用电极；光电转换层，所述光电转换层形成为与所述第一电极接触并且位于所述电荷累积用电极的上方，绝缘层夹设在所述光电转换层和所述电荷累积用电极之间；和第二电极，所述第二电极形成在所述光电转换层上，其中所述分离电极包括第一分离电极和与所述第一分离电极隔开配置的第二分离电极，和所述第一分离电极位于所述第一电极和所述第二分离电极之间，其中所述第一分离电极的电位为固定值VES-1，并且所述第二分离电极的电位为固定值VES-2，或者其中所述第一分离电极的电位从固定值VES-1变为另一值VES-1’，并且所述第二分离电极的电位为固定值VES-2，其中所述成像元件形成为在将要累积的电荷是电子的情况下，满足VES-1VES-2，但是在将要累积的空穴是电子的情况下，满足VES-1VES-2，或者所述成像元件形成为满足VES-2＝VES-1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 成像元件和固态成像装置
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