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一种表贴式厚膜熔断器结构及其制造方法 

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申请/专利权人:中国振华集团云科电子有限公司

摘要:一种表贴式厚膜熔断器结构及其制造方法,属于电子元器件领域。包括衬底基片,背电极,表电极,隔热层,熔断体层,包封层,端电极,熔断体本体,熔丝隔离通孔,熔丝;衬底基片的材料为耐高温绝缘材料,背电极位于衬底基片背面的两端,表电极位于衬底基片表面的两端,隔热层位于衬底基片的表面,熔断体层位于隔热层的表面,包封层位于熔断体层的表面,端电极覆盖背电极、表电极及衬底基片的两端,熔丝隔离通孔贯穿熔断体本体,隔离通孔的形状、数量、尺寸及排列方式根据熔丝的具体性能进行设定,采用厚膜一体化集成工艺技术进行制造。解决了现有技术中提高额定电压与降低电弧相矛盾的问题。广泛应用于微型化、高工作电压、低电弧高可靠熔断器领域。

主权项:1.一种表贴式厚膜熔断器结构的制造方法,其特征在于,所述表贴式厚膜熔断器结构包括:衬底基片,背电极,表电极,隔热层,熔断体层,包封层,端电极,熔断体本体,熔丝隔离通孔,熔丝;所述衬底基片的材料为耐高温绝缘材料;所述背电极位于衬底基片背面的两端;所述表电极位于衬底基片表面的两端;所述隔热层位于衬底基片的表面,隔热层的两端与衬底基片表面两端的表电极端接;所述熔断体层位于隔热层的表面,熔断体层的两端与衬底基片表面两端的表电极端接;所述熔断体层的平面结构呈网格型结构,由多个熔丝串并联组成;所述包封层位于熔断体层的表面,包封层的两端与衬底基片表面两端的表电极搭接;所述端电极覆盖背电极、表电极及衬底基片的两端;所述熔丝隔离通孔圆形或槽形,贯穿熔断体本体,隔离通孔的形状、数量、尺寸及排列方式根据熔丝的具体性能进行设定;所述熔丝为隔离通孔之间的熔断体本体端部分;所述表贴式厚膜熔断器结构的制造方法如下:所述隔热层采用厚膜丝网印刷方式制备,所述熔断体层采用厚膜丝网印刷方式制备;(1)材料准备:衬底基片选用陶瓷基片,在陶瓷基片上按熔断器的排列布局尺寸,用划片机划好裂片线,表电极和背电极材料选用含钯量为1%~35%的银钯浆料,隔热层材料选用二氧化硅浆料,熔断体材料选用金浆料或银浆料,包封层材料选用玻璃浆料,端头涂银材料选用含钯量为1%~30%的银钯浆料;(2)在已划线陶瓷基片表面丝网印刷表电极、背电极;(3)在已制备电极的陶瓷基片表面制备隔热层,隔热层的烧成温度为850℃±30℃,隔热层的烧成膜厚为10μm~100μm;(4)在已制备隔热层的表面丝网印刷熔断体层,熔断体的烧成膜厚为1μm~50μm,熔断体的烧成温度为850℃±30℃;(5)在已制备熔断体的表面印刷包封层,包封层的烧成膜厚为5μm~50μm,包封层的烧成温度为600℃±30℃;(6)在已制备包封层的表面印刷产品标识;(7)对印好标识的产品沿相邻电极的中间划线进行第一次条状裂片,然后在条状产品的端面进行涂银,涂银深度为0.1mm~2mm,涂银烧成温度为600℃±30℃;(8)对涂银后的条状产品进行二次颗状裂片;(9)对二次裂片的颗状产品进行电镀,先镀镍,再镀铅或者锡铅,镍层厚度≥3μm。

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权利要求:

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