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申请/专利权人：重庆邮电大学

摘要：本发明请求保护一种用于频率合成器的低失配电荷泵，包括偏置电路及电荷泵核心电路。本发明采用共源极充电开关PMOS管M1及共源极放电开关NMOS管M6来抑制电荷共享，充电电流源偏置电路、放电电流源偏置电路分别为PMOS管M2、NMOS管M5提供偏置，传输门TG1、传输门TG2分别作为共源共栅充电电流源及共源共栅放电电流源的栅极开关，防止电荷泵关闭时产生漏极电流；充电电流源提升电路与共源共栅充电电流源构成负反馈回路，放电电流源提升电路与共源共栅放电电流源构成负反馈回路，增加电荷泵输出阻抗，提高电荷泵的充放电流失配性，从而实现用于频率合成器的低失配电荷泵。

主权项：1.一种用于频率合成器的低失配电荷泵，其特征在于，包括：偏置电路1以及电荷泵核心电路2，其中所述偏置电路1的信号输出端接所述电荷泵核心电路2的信号输入端；所述偏置电路1通过PMOS管M23的栅极以及NMOS管M25的栅极为所述电荷泵核心电路2提供偏置信号，所述电荷泵核心电路2通过输出端Vctrl为后级电路即滤波器提供所需的充放电电流；所述电荷泵核心电路2包括：PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、PMOS管M7、NMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12、PMOS管M13、PMOS管M14、PMOS管M15、NMOS管M16、NMOS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管M20、NMOS管M21、NMOS管M22、NMOS管M26、NMOS管M27、PMOS管M28、PMOS管M29、传输门TG1以及传输门TG2，其中PMOS管M18的源极分别与PMOS管M19的源极、PMOS管M13的源极、PMOS管M1的源极、PMOS管M10的源极、PMOS管M7的源极、PMOS管M28的源极、PMOS管M29的源极以及外部电源VDD相连，PMOS管M18的栅极分别与PMOS管M18的漏极以及NMOS管M20的漏极相连，NMOS管M20的栅极与信号输入端UPb相连，NMOS管M20的源极分别与NMOS管M21的源极以及NMOS管M22的漏极相连，NMOS管M22的源极分别与NMOS管M16的源极、NMOS管M17的源极、NMOS管M6的源极、NMOS管M12的源极、NMOS管M8的源极、NMOS管M26的源极、NMOS管M27的源极以及外部地GND相连，PMOS管M19的栅极分别与PMOS管M19的漏极、NMOS管M21的漏极以及传输门TG1的输入端相连，传输门TG1的一控制端与信号控制端UPb相连，传输门TG1的另一控制端与信号控制端UP相连，传输门TG1的输出端分别与PMOS管M2的栅极以及PMOS管M9的栅极相连，NMOS管M21的栅极与信号控制端UP相连，PMOS管M13的漏极分别与PMOS管M14的源极以及PMOS管M15的源极相连，PMOS管M14的栅极与信号输入端DN相连，PMOS管M14的漏极分别与NMOS管M16的漏极以及NMOS管M16的栅极相连，PMOS管M15的栅极与信号控制端DNb相连，PMOS管M15的漏极分别与NMOS管M17的漏极、NMOS管的栅极以及传输门TG2的输入端相连，传输门TG2的一控制端与信号控制端DN相连，传输门TG2的另一控制端与信号控制端DNb相连，传输门TG2的输出端分别与NMOS管M5的栅极以及NMOS管M11的栅极相连，PMOS管M1的栅极与信号控制端UPb相连，PMOS管M1的漏极与PMOS管M2的源极相连，PMOS管M2的漏极分别与NMOS管M8的栅极以及PMOS管M3的源极相连，PMOS管M3的栅极分别与PMOS管M9的漏极以及NMOS管M26的漏极相连，PMOS管M3的漏极分别与NMOS管M4的漏极以及电荷泵的输出端Vctrl相连，NMOS管M4的栅极分别与NMOS管M11的漏极以及PMOS管M28的漏极相连，NMOS管M4的源极分别与PMOS管M10的栅极以及NMOS管M5的漏极相连，NMOS管M5的源极与NMOS管M6的漏极相连，NMOS管M6的栅极与信号控制端DN相连，PMOS管M10的漏极分别与NMOS管M11的源极以及NMOS管M12的漏极相连，PMOS管M7的漏极分别与NMOS管M8的漏极以及PMOS管M9的源极相连，PMOS管M28的栅极分别与PMOS管M29的栅极、PMOS管M29的漏极以及NMOS管M27的漏极相连。

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