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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本发明提供一种化合物半导体集成器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法通过在化合物半导体异质外延片上制备多个器件区，并在需要相互隔离的所述器件区之间刻蚀出隔离槽，对隔离槽进行填充，然后在外延片表面制作互连介质层，在互连介质层中开孔，在该孔内以及互连介质层表面沉积金属使器件区之间形成电学连接；最后对衬底进行减薄处理，使隔离槽完全贯穿衬底。通过该方法可以在异质外延衬底上实现集成器件或和集成电路的衬底电位隔离。制备得到的化合物半导体集成器件的衬底之间能够实现对高频信号的阻断，并且不会因为寄生的电学结构对集成器件中的单个器件或电路的正常功能产生不利影响。
主权项：1.一种化合物半导体集成器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一化合物半导体异质外延片，所述化合物半导体异质外延片包括衬底以及沉积在所述衬底上的化合物半导体层；S2、在所述化合物半导体异质外延片上制备多个器件区，每个所述器件区包括至少一个器件或至少一个由若干个器件互连形成的电路；S3、在需要相互隔离的所述器件区之间通过刻蚀形成第一隔离槽；所述第一隔离槽贯穿所述化合物半导体层；S4、在所述衬底中刻蚀出第二隔离槽；所述第二隔离槽与所述第一隔离槽连通，且其底部位于所述衬底中；S5、在所述化合物半导体层背离所述衬底的表面以及所述第一隔离槽和所述第二隔离槽中旋涂填充材料；S6、除去所述化合物半导体层背离所述衬底的表面上的全部或部分填充材料，保留所述第一隔离槽和所述第二隔离槽中的填充材料；退火，使所述第一隔离槽和所述第二隔离槽中的填充材料固化；当所述填充材料全部除去时，在所述化合物半导体层背离所述衬底的表面上沉积电介质材料，得到互连介质层；当所述填充材料部分除去时，所述化合物半导体层背离所述衬底的表面上保留的所述填充材料构成互连介质层；S7、在所述互连介质层中开孔，并在所述孔中以及所述互连介质层背离所述化合物半导体层的表面沉积金属，使被隔离的所述器件区之间形成电学连接；S8、对所述衬底背离所述化合物半导体层的一侧进行减薄，使所述第二隔离槽贯穿减薄后的所述衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 一种化合物半导体集成器件及其制备方法
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