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申请/专利权人：北极星特许集团有限责任公司
摘要：本申请案涉及集成式组合件以及形成集成式组合件的方法。一些实施例包含一种形成集成式组合件的方法。交替的第一和第二材料的堆叠形成于导电结构之上。所述导电结构包含含金属材料之上的含半导体材料。开口形成为延伸穿过所述堆叠且穿过所述含半导体材料，以使所述含金属材料暴露。所述含半导体材料掺杂有碳和或掺杂有一或多种金属。在所述含半导体材料的所述掺杂之后，移除所述堆叠的所述第二材料以形成空隙。导电材料形成于所述空隙内。绝缘材料形成于所述开口内。一些实施例包含具有分布在半导体材料的至少一部分内的碳的集成式组合件。
主权项：1.一种形成集成式组合件的方法，其包括：在导电结构之上形成交替的第一材料和第二材料的堆叠；所述导电结构包括含金属材料之上的含半导体材料；形成开口以延伸穿过所述堆叠且穿过所述含半导体材料，以使含所述金属材料暴露；以及用碳和或用一或多种金属来掺杂所述含半导体材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北极星特许集团有限责任公司 集成式组合件以及形成集成式组合件的方法
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