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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括切割区和非切割区；在所述衬底上形成若干分立排布的第一鳍部；去除所述切割区的所述衬底上的第一鳍部，在所述切割区的所述衬底上形成第二鳍部；所述第二鳍部的材料为非半导体材料。本发明预先在衬底上定义好切割区和非切割区，将切割区上的第一鳍部去掉，替换成第二鳍部，由于第二鳍部的材料为非半导体材料，这样后续形成栅极结构时，直接实现了栅极结构在切割区的切割，不需要再对形成的栅极结构进行切割工艺，从而避免了对形成的栅极结构的损伤，提高了形成的半导体器件的质量，便于实现栅极结构切割工艺的产量化，扩大半导体器件的使用范围。
主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括切割区和非切割区；在所述衬底上形成若干分立排布的第一鳍部；去除所述切割区的所述衬底上的所述第一鳍部，在所述切割区的所述衬底上形成若干分立排布的第二鳍部，所述第二鳍部的材料为非半导体材料，所述第二鳍部的材料包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或碳化硅；在所述第一鳍部和所述第二鳍部的侧壁和顶部表面形成栅极结构，所述栅极结构包括金属层；去除所述第二鳍部顶部的所述金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及其形成方法
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