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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种柱状电容及其形成方法，属于半导体器件制造技术领域。该柱状电容包括衬底、导电柱芯、柱面介质层、导电层和第一导电结构；其中，导电柱芯设置在所述衬底中，所述导电柱芯沿水平方向延伸；柱面介质层沿周向包覆所述导电柱芯表面，并使得所述导电柱芯的部分表面裸露；导电层设置在所述导电柱芯和所述衬底之间，所述导电层沿周向包覆在所述柱面介质层外围；第一导电结构与所述导电柱芯的裸露表面导电接触，并与所述导电层绝缘隔离。本发明提供的柱状电容易于在集成电路的三维空间中堆叠形成高容量及高稳定性的电容阵列。
主权项：1.一种柱状电容，其特征在于，包括：衬底；导电柱芯，其设置在所述衬底中，所述导电柱芯沿水平方向延伸；柱面介质层，其沿周向包覆所述导电柱芯表面，并使得所述导电柱芯的部分表面裸露；导电层，其设置在所述导电柱芯和所述衬底之间，所述导电层沿周向包覆在所述柱面介质层外围；第一导电结构，其与所述导电柱芯的裸露表面导电接触，并与所述导电层绝缘隔离；其中，所述衬底上具有沟槽，所述导电柱芯位于所述沟槽内，所述沟槽的两端具有台阶，所述导电柱芯的两端置于所述台阶上，所述导电柱芯的底部高度高于所述沟槽底壁。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 柱状电容及其形成方法
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