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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：方法包括：在第一再分布结构上方形成金属杆；将第一器件管芯附接至第一再分布结构，第一器件管芯包括嵌入在半导体衬底中的通孔；将金属杆和第一器件管芯密封在密封剂中，密封剂的第一顶面与半导体衬底的第二顶面齐平；使第二顶面凹进以暴露通孔；在通孔周围形成介电隔离层；在介电隔离层上方形成介电层；蚀刻介电层以在介电层中形成第一开口和第二开口；在第一开口中形成第一金属通孔并且在第二开口中形成第二金属通孔；以及在介电层上方形成第二再分布结构。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成第一再分布结构；在所述第一再分布结构上方形成金属杆；将第一器件管芯附接至所述第一再分布结构，所述第一器件管芯包括嵌入在半导体衬底中的通孔；将所述金属杆和所述第一器件管芯密封在密封剂中，所述密封剂的第一顶面与所述半导体衬底的第二顶面齐平；使所述第二顶面凹进以暴露所述通孔；在所述通孔周围形成介电隔离层；在所述介电隔离层上方形成介电层；蚀刻所述介电层以在所述介电层中形成第一开口和第二开口；在所述第一开口中形成第一金属通孔并且在所述第二开口中形成第二金属通孔；以及在所述介电层上方形成第二再分布结构，所述第二再分布结构电连接至所述第一金属通孔和所述第二金属通孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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