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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：本发明提供一种半导体器件以及形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部；所述鳍部包括切割区鳍部和非切割区鳍部；在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部；去除所述伪栅结构未覆盖的所述切割区鳍部；本发明的形成方法能够保证去除切割区鳍部的准确性，从而使得形成的半导体器件的质量得到提高；这是由于在衬底上形成伪栅结构之后，伪栅结构对覆盖的非切割区鳍部起到保护的作用，从而使得非切割区鳍部不会被除掉，保证不会出现非切割区鳍部被去除或者切割区鳍部没有完全被去除的现象，确保了形成鳍部图形的准确性，使得形成的半导体器件的性能和稳定性得到提高。
主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部；所述鳍部包括切割区鳍部和非切割区鳍部；在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部；去除所述伪栅结构未覆盖的所述切割区鳍部，其中形成所述伪栅结构的步骤包括：在所述衬底上形成初始伪栅结构，所述初始伪栅结构横跨所述鳍部；在所述初始伪栅结构上形成分立排布的芯层；在所述芯层的侧壁上形成牺牲侧墙；以所述牺牲侧墙和所述芯层为掩膜，刻蚀所述牺牲侧墙两侧的所述初始伪栅结构，直至暴露出所述切割区鳍部和部分所述非切割区鳍部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及其形成方法
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