龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面形成牺牲层，所述牺牲层内具有第一开口；在所述第一开口内形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构表面的边缘高于表面的中心；刻蚀所述牺牲层直至去除所述牺牲层。从而，改善了半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面形成牺牲层，所述牺牲层内具有第一开口，所述第一开口的侧壁面自顶部向底部朝向所述第一开口内方向倾斜；在所述第一开口内形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构表面的边缘高于表面的中心，所述第一掩膜结构的侧壁面与所述第一开口的侧壁面具有相同的倾斜度；刻蚀所述牺牲层直至去除所述牺牲层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构的形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号