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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；在所述衬底第一区上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层；在所述第一栅极结构侧壁形成第一侧墙；形成第一侧墙过程中，在部分衬底第二区上形成第二栅介质层，所述第二栅介质层的厚度大于第一栅介质层的厚度；在所述第二栅介质层上形成第二栅极层。所述方法简化了形成所述半导体器件的制程。
主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；在所述衬底第一区上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层；在所述第一栅极结构侧壁形成第一侧墙；形成第一侧墙过程中，在部分衬底第二区上形成第二栅介质层，所述第二栅介质层的厚度大于第一栅介质层的厚度；在所述第二栅介质层上形成第二栅极层；所述第一侧墙和第二栅介质层的形成方法包括：在所述衬底第一区和衬底第二区表面、以及第一栅极结构表面形成初始第二栅介质膜；在初始第二栅介质膜表面形成掩膜层，所述掩膜层位于部分衬底第二区上；形成掩膜层后，以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述初始第二栅介质膜，直至暴露出衬底和第一栅极结构表面，在所述第一栅极结构侧壁形成所述第一侧墙，且在所述衬底第二子区表面形成第二栅介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及其形成方法
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