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申请/专利权人：上海军陶科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种无源钳位结构、半桥电路、反激电路和集成MOS管，所述无源钳位结构包括：第一MOS管、第一电容、第一电阻和第一二极管；第一电阻的第一端与第一MOS管的源极连接，第二端与第一MOS管的栅极连接；第一电阻的第一端与第一电容的第一预设端连接，第二端与第一二极管的第二预设端连接；当第一MOS管为PMOS管时，第一预设端为第一电容的正极，第二预设端为第一二极管的负极；当第一MOS管为NMOS管时，第一预设端为第一电容的负极，第二预设端为第一二极管的正极；第一电阻的第三预设端与第一电容的第四预设端接地。本发明通过简单的电路结构实现无源钳位，在保证钳位效率的同时简化电路规模。
主权项：1.一种无源钳位结构，其特征在于，包括：第一MOS管、第一电容、第一电阻和第一二极管；所述第一电阻的第一端与所述第一MOS管的源极连接；所述第一电阻的第二端与所述第一MOS管的栅极连接；所述第一电阻的第一端与所述第一电容的第一预设端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一二极管的第二预设端连接；其中，当所述第一MOS管为PMOS管时，所述第一预设端为所述第一电容的正极，所述第二预设端为所述第一二极管的负极；当所述第一MOS管为NMOS管时，所述第一预设端为所述第一电容的负极，所述第二预设端为所述第一二极管的正极；所述第一电容的第三预设端与所述第一二极管的第四预设端连接；其中，当所述第一MOS管为PMOS管时，所述第三预设端为所述第一电容的负极，所述第四预设端为所述第一二极管的正极；当所述第一MOS管为NMOS管时，所述第三预设端为所述第一电容的正极，所述第四预设端为所述第一二极管的负极；当所述第一MOS管为PMOS管时，所述第一电容的第三预设端与所述第一二极管的第四预设端接地。
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百度查询： 上海军陶科技股份有限公司 一种无源钳位结构、半桥电路、反激电路和集成MOS管
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