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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本发明提供一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，上述GaN基高电子迁移率晶体管包括衬底、缓冲层、碳掺杂C‑GaN层、GaN基异质结、绝缘介质层、源极及漏极；缓冲层设于衬底上；碳掺杂C‑GaN层设于缓冲层上，碳掺杂C‑GaN层设有两个间隔布设的凹槽；两个GaN基异质结分别二次外延生长于两个凹槽中；绝缘介质层盖设于碳掺杂C‑GaN层和GaN基异质结的上表面；源极和漏极均设于碳掺杂C‑GaN层的上表面，其中一者与两个GaN基异质结中的一个接触，另一者与两个GaN基异质结中的另一个接触。该结构通过二次外延生长GaN基异质结，可以避免刻蚀导致的GaN基异质结材料损伤和界面态，从而获得高电流密度、高跨导、低漏电和高可靠性的增强型GaNHEMT器件。
主权项：1.一种增强型GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底、缓冲层、GaN层、GaN基异质结、绝缘介质层、源极及漏极；所述缓冲层设于所述衬底上；所述GaN层设于所述缓冲层上，所述GaN层设有两个间隔布设的凹槽；两个所述GaN基异质结分别二次外延生长于两个所述凹槽中；所述绝缘介质层盖设于所述GaN层和所述GaN基异质结的上表面；所述源极和所述漏极均设于所述GaN层的上表面，其中一者与两个所述GaN基异质结中的一个接触，另一者与两个所述GaN基异质结中的另一个接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法
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