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申请/专利权人：东莞市立德达光电科技有限公司

摘要：本发明提供的一种高光谱高仿真效果用于摄影及识别领域的光谱LED，包含基板，基板上分布有第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片，基板上设置有封装在第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片上的荧光胶；第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片的峰值波长范围分别为395‑400nm、417.5‑422.5nm、430‑435nm、440‑445nm、452‑457nm、457‑462nm；芯片光功率均呈现在400nm和432nm处有峰波且满足Φe400nm:Φe432nm＝1:0.7；荧光胶为发射峰470nm的荧光粉、发射峰535nm的荧光粉、发射峰575nm的荧光粉、发射峰645nm的荧光粉、发射峰660nm的荧光粉与硅胶的混合溶液，达到自然贴近的还原真我色彩摄影效果，对于识别色彩领域有很好的识别光源特性，可以防止近视。

主权项：1.一种高光谱高仿真效果用于摄影及识别领域的光谱LED，包含基板，其特征在于，所述基板上分布有第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片，所述基板上设置有封装在所述第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片上的荧光胶；所述第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片的峰值波长范围分别为395-400nm、417.5-422.5nm、430-435nm、440-445nm、452-457nm、457-462nm；所述第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片的芯片光功率分布比均为Φe350-410nm：Φe410-430nm：Φe430-450nm：Φe450-480nm：Φe480-500nm＝40.37％：18.45％：22.77％：18.00％：0.41％；所述第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片的芯片光功率均呈现在400nm和432nm处有峰波且满足Φe400nm：Φe432nm＝1：0.7；所述荧光胶为发射峰波长为470nm的荧光粉、发射峰波长为535nm的荧光粉、发射峰波长为575nm的荧光粉、发射峰波长为645nm的荧光粉、发射峰波长为660nm的荧光粉与硅胶的混合溶液；所述荧光胶中发射峰波长为470nm的荧光粉：发射峰波长为535nm的荧光粉：发射峰波长为575nm的荧光粉：发射峰波长为645nm的荧光粉：发射峰波长为660nm的荧光粉：硅胶的质量比为0.3-0.5：1.2-1.5：0.15-0.2：0.08-0.12：0.12-0.15：3。

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