买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

摘要：本发明涉及过温保护电路领域，具体涉及一种过温调压电路和过温调压方法，包括恒定电流产生支路、第一电流镜模块、输出支路、负增长电流产生支路、第二电流镜模块和补偿支路；外部基准电压输出模块输出基准电压VBG至恒定电流产生支路和负增长电流产生支路的输入端，恒定电流产生支路的输出端与第一电流镜模块的输入端电性连接；输出支路的输入端与第一电流镜模块电性连接；负增长电流产生支路的输出端与第二电流镜模块的输入端电性连接；补偿支路的输出端与输出支路电性连接，并输出VREF电压，选配不同宽长比的mos管，精准控制过温点T0和关断温度点T1的目的。

主权项：1.一种过温调压方法，其特征在于：其过温调压电路包括恒定电流产生支路、第一电流镜模块、输出支路、负增长电流产生支路、第二电流镜模块和补偿支路；外部基准电压输出模块输出基准电压VBG至恒定电流产生支路和负增长电流产生支路的输入端，所述恒定电流产生支路的输出端与第一电流镜模块的输入端电性连接；所述输出支路的输入端与第一电流镜模块电性连接；所述负增长电流产生支路的输出端与第二电流镜模块的输入端电性连接；所述补偿支路的输入端电性连接在第一电流镜模块和第二电流镜模块的输出端上，所述补偿支路的输出端与输出支路电性连接，并输出VREF电压；所述第一电流镜模块包括mos管P0和mos管P1；所述输出支路包括mos管P2、电阻R3和电阻R4；所述第二电流镜模块包括mos管P3、mos管P4、mos管N2和mos管N3；所述补偿支路包括mos管N4和mos管N5；所述mos管P0的源极、mos管P1源极、mos管P2的源极、mos管P3的源极和mos管P4源极均与电源VDD电性连接，所述mos管P0的栅极和漏极均与mos管P1的栅极、恒定电流产生支路和输出支路电性连接，所述mos管P1的漏极与第二电流镜模块的输出端和补偿支路的输入端电性连接；所述mos管P2的栅极与mos管P0的栅极和漏极和mos管P1的栅极电性连接，所述mos管P2的漏极与电阻R3的一端和补偿支路的输出端电性连接，并输出VREF电压，所述电阻R3的另一端与电阻R4的一端电性连接；所述mos管P3的栅极和漏极均与mos管P4的栅极和mos管N1的漏极电性连接；所述mos管P4的漏极与mos管N2的漏极、栅极和mos管N3的栅极电性连接，所述mos管N3的漏极与第一电流镜模块的输出端和补偿支路的输入端电性连接；所述mos管N4的栅极和漏极均与mos管N5的栅极、mos管N3的漏极和第一电流镜模块的输出端电性连接，所述mos管N5的漏极与输出支路电性连接，并输出VREF电压，所述电阻R4的另一端、mos管N2的源极、mos管N3的源极、mos管N4的源极和mos管N5的源极均接地；所述恒定电流产生支路包括电阻R0和电阻R1；所述负增长电流产生支路包括电阻R2；电阻R0和电阻R3均为负温度系数电阻，电阻R1、电阻R2和电阻R4均为正温度系数电阻；其过温调压方法包括基于所述过温调压电路设置过温点T0与关断温度点T1，其中： ，其中，； ，其中，；式中，其中A、B、C和D为比例系数，同时A﹥1、B﹥1、C﹥1和D﹥1，并且满足： 所述（WL）P0为mos管P0的宽长比；（WL）P1为mos管P1的宽长比；（WL）P2为mos管P2的宽长比；（WL）N2为mos管N2的宽长比；（WL）N3为mos管N3的宽长比；（WL）N4为mos管N4的宽长比；（WL）N5为mos管N5的宽长比；所述k2为电阻R1、电阻R2和电阻R4的一阶温度系数；所述R0、R1和R2分别为电阻R0、电阻R1和电阻R2的阻值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门元顺微电子技术有限公司 一种过温调压电路和过温调压方法