龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明提供了一种源极跟随器及电子设备，通过第一MOS管的栅极耦接输入电压，第一MOS管的漏极耦接至第二MOS管的源极，第一MOS管的源极通过第一电流源耦接至第一电压，第一MOS管的源极还用于输出输出电压；第二MOS管的栅极耦接至第三MOS管的栅极，第二MOS管的漏极耦接至第二电压；第三MOS管的栅极耦接通过第二电流源耦接至第二电压，第三MOS管的漏极通过第二电流源耦接至第二电压，第三MOS管的源极耦接至第一MOS管的源极；第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管为配置相同的MOS管且均处于饱和状态的方式，在第二MOS管和第三MOS管的共同作用下稳定了第一MOS管的漏源电压，从而减小了第一MOS管跨导的变化，降低沟道调制作用对输出电压的影响，提高了源极跟随器的线性度。
主权项：1.一种源极跟随器，其特征在于，包括：第一MOS管、第二MOS管以及第三MOS管；所述第一MOS管的栅极接收输入电压，所述第一MOS管的漏极耦接至第二MOS管的源极，所述第一MOS管的源极通过第一电流源耦接至第一电压，所述第一MOS管的源极还用于输出输出电压；所述第二MOS管的栅极耦接至第三MOS管的栅极，所述第二MOS管的漏极接收第二电压；所述第三MOS管的栅极耦接通过第二电流源耦接至所述第二电压，所述第三MOS管的漏极通过所述第二电流源耦接至第二电压，所述第三MOS管的源极耦接至第一MOS管的源极；所述第一MOS管、所述第二MOS管以及所述第三MOS管为配置相同的MOS管且均处于饱和状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格威半导体(厦门)有限公司 源极跟随器及电子设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号